Startpagina > Power-transistor > Artikelnaam

Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Aantal:

verpakking

Productinformatie

Artikelnr.:
3523E-2445817

Merk:
Infineon

Fabrikantnr.:
FD150R12RT4HOSA1

EAN/GTIN:
geen gegevens

Zoekwoorden:

IGBT-module
IGBT-modules
Power-transistor
Schakeltransistor

Maximum Continuous Collector Current = 150 A
Maximum Collector Emitter Voltage = 1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage = ±20V
Maximum Power Dissipation = 790 W

Meer informatie:


Maximum Continuous Collector Current:	150 A
Maximum Collector Emitter Voltage:	1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	±20V
Maximum Power Dissipation:	790 W
Number of Transistors:	1

... > Semiconductors > Discrete Semiconductors > IGBTs

Andere zoekwoorden: Schakeltransistors, Transistor, Transistors, 2445817, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs, Infineon, FD150R12RT4HOSA1

Overzicht van de condities¹

Levertijd

Voorraad

Prijs excl. BTW

vanaf € 901,88*

Prijs geldt vanaf 500 verpakkingen

1 verpakking omvat 10 stuks (vanaf € 90,188* per stuk)

Voorwaarden zelf selecteren

Aanbevelen

Toevoegen aan inkooplijst

Staffelprijzen

Bestelhoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW	Eenheid

1 verpakking	€ 1.025,29*	€ 1.240,6009	per verpakking
vanaf 2 verpakkingen	€ 964,75*	€ 1.167,3475	per verpakking
vanaf 5 verpakkingen	€ 947,78*	€ 1.146,8138	per verpakking
vanaf 10 verpakkingen	€ 929,81*	€ 1.125,0701	per verpakking
vanaf 500 verpakkingen	€ 901,88*	€ 1.091,2748	per verpakking

* Prijzen zijn excl. BTW en (indien van toepassing) incl. heffingen zoals Recupel, Bebat of Auvibel.

Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.