|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-152902-BP Fabrikantnr.:
BSS123NH EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| Small sign-transistor* N-kanaal uitbreidingstype. Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 100 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-236-3 · C(ISS): 20.9 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 190 mA · Kenmerken transistor: Logic Level Gat e · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 0.9 C · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 190 mA · Serie (halfgeleiders): OptiMOSü™ · Soort transistor (LoV): MOSFET · Type (fabrikanttype): BSS123NH · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) max.: 1.8 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 13 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 500 mW Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | TO-236-3 | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Serie (halfgeleiders): | OptiMOSü™ | Kenmerken transistor: | Logic Level Gat<b>e</b> | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | BSS123NH | Montagewijze: | Oppervlakmontage | C(ISS): | 20.9 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 190 mA | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +150 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 500 mW | Q(G): | 0.9 nC | Q(G) referentiespanning: | 10 V | R(DS)(on): | 6 Ω | R(DS)(on) referentiestroom: | 190 mA | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 13 µA | U(DSS): | 100 V | U(GS)(th) max.: | 1.8 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 100 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, BSS123NH, MOSFET's, 152902-BP |
| | |
| |