|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-153047-BP Fabrikantnr.:
BSS83P EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| Small sign-transistor P-kanaal uitbreidingstype. Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 60 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-236-3 · C(ISS): 78 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 330 mA · Kenmerken transistor: Logic Level Gat e · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 3.57 C · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 2 Ω · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 330 mA · Serie (halfgeleiders): SIPMOS® · Soort transistor (LoV): MOSFET · Type (fabrikanttype): BSS83P · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) max.: 2 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 80 µA · Uitvoering (transistor): P-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 360 mW Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | TO-236-3 | Uitvoering (transistor): | P-kanaal | Serie (halfgeleiders): | SIPMOS® | Kenmerken transistor: | Logic Level Gat<b>e</b> | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | BSS83P | Montagewijze: | Oppervlakmontage | C(ISS): | 78 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 330 mA | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +150 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 360 mW | Q(G): | 3.57 nC | Q(G) referentiespanning: | 10 V | R(DS)(on): | 2 Ω | R(DS)(on) referentiestroom: | 330 mA | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 80 µA | U(DSS): | 60 V | U(GS)(th) max.: | 2 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 60 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, BSS83P, 145-8801, MOSFET's, 153047-BP |
| | |
| |