Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolair; 100V; 225A; Idm: 300A


Aantal:  stuk  
Productinformatie
Product Image
Product Image
Artikelnr.:
     8UVVQ-SIJH112E-T1-GE3
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SIJH112E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
MOSFET
MOSFET-transistor
SMD-transistor
SMD-transistors
Producent: VISHAY
Montage: SMD
Behuizing: PowerPAK® 8x8L
Spanning dren-bron: 100V
Drainstroom: 225A
Weerstand in geleidingstoestand: 3,6mΩ
Type transistor: N-MOSFET
Vermogensdissipatie: 333W
Polarisatie: unipolair
Soort verpakking: band;rol
Lading op de poort: 160nC
Technologie: TrenchFET®
Soort kanaal: verrijkt
Gate-source spanning: ±20V
Gepulseerde drainstroom: 300A
Magazijnen (4)
Voorraad
Min. hoeveelheid
Verzendkosten
Staffelprijs
Eenheidsprijs
^
3000
Franco huis
vanaf € 1,867*
€ 2,317*
Magazijn 8UVVQ
2000
€ 7,90*
vanaf € 2,82*
€ 3,47*
373 werkdagen
Geen voorraad
2000
€ 7,90*
vanaf € 2,80*
€ 3,47*
3 werkdagen
4319
1
€ 14,99*
vanaf € 2,00*
€ 6,26*
Prijzen: Magazijn 8UVVQ
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 2000 stuks
€ 3,47*
€ 4,20
per stuk
vanaf 15000 stuks
€ 2,82*
€ 3,41
per stuk
alleen te bestellen in veelvouden van 2.000 stuks
minimale bestelhoeveelheid: 2000 stuks ( € 6.940,00* excl. BTW )
Voorraad: Magazijn 8UVVQ
Verzendkosten: Magazijn 8UVVQ
Bekijk voorraad details hier.
Bestelwaarde
Verzendkosten
vanaf € 0,00*
€ 7,90*
Retourvoorwaarden: Magazijn 8UVVQ
Dit artikel kan niet worden geannuleerd, omgeruild noch worden teruggegeven.
Conform de algemene voorwaarden en onafhankelijk van de retourvoorwaarden blijft de garantieperiode bestaan.
* Prijzen zijn excl. BTW en (indien van toepassing) incl. heffingen zoals Recupel, Bebat of Auvibel.
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.